ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

EMD5DXV6T5G

ТРАНС ПРЕБИАС NPN/PNP SOT563


  • Производитель: ОН Полупроводник
  • Номер оригинального чипа: 598-EMD5DXV6T5G
  • Упаковка: СОТ-563, СОТ-666
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 414
  • Описание: ТРАНС ПРЕБИАС NPN/PNP SOT563 (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в XINJIADA.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Теги

Параметры
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 5 мА 10 В / 20 при 5 мА 10 В
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 300 мкА, 10 мА
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 50В
hFE Мин. 80
Резистор — база (R1) 4,7 кОм, 47 кОм
Непрерывный ток коллектора 100 мА
Резистор — база эмиттера (R2) 10 кОм, 47 кОм
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Без свинца Без свинца
Срок выполнения заказа на заводе 17 недель
Статус жизненного цикла АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад)
Установить Поверхностный монтаж
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Количество контактов 6
Упаковка Лента и катушка (TR)
Опубликовано 2010 год
Код JESD-609 е3
Код Pbfree да
Статус детали Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Количество окончаний 6
ECCN-код EAR99
Терминальные отделки Олово (Вс)
Максимальная рабочая температура 150°С
Минимальная рабочая температура -55°С
Дополнительная функция КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,13.
Подкатегория БИП Малый сигнал общего назначения
Напряжение — номинальный постоянный ток 50В
Максимальная рассеиваемая мощность 500мВт
Терминальная форма ПЛОСКИЙ
Пиковая температура оплавления (Цел) 260
Текущий рейтинг 100 мА
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) 40
Количество контактов 6
Статус квалификации Не квалифицированный
Количество элементов 2
Полярность НПН, ПНП
Конфигурация элемента Двойной
Рассеяние активности 357 МВт
Применение транзистора ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Без галогенов Без галогенов
Тип транзистора 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)
Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) 50В
Макс. ток коллектора 100 мА
См. соответствующие данные таблицы.
Как мы можем вам помочь?