Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

AT91SAM9N12-CUR

0,8 мм ARM926EJ-S 11,8/3,33,3-32-битвин

Проиджоделх: ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
Origchip №: 536-AT91SAM9N12-CUR
Епаково: 217-LFBGA
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 606
Описани: 0,8 мм ARM926EJ-S 11,8/3,33,3- 32-биочевого микропра.

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	10 nedely
PakeT / KORPUES	217-LFBGA
Пефер	В дар
Колист	217
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 85 ° C TA
Упако	Веса
Опуликовано	1997
В припании	SAM9N
КОД JESD-609	E8
PBFREE CODE	в дар
Статус	Актифен
Вернояж	3 (168 чASOW)
Колист	217
ТЕРМИНАЛЕН	Olovo/serebro/mmedion (sn98.5ag1.0cu0.5)
Подкейгория	Микропра
Тела	CMOS
Терминала	Униджин
Терминаланая	М
Терминал	0,8 мм
ЧastoTA	400 мг
Я	AT91SAM9N12
Питания	11,8/3,33,3 В.
Имен	Ebi/emi, i2c, spi, uart, usart, usb
МАКСИМАЛНА	1,1 В.
МИНАПРЕЗА	900 м
Raзmerpmayti	128 кб
ТИП ГЕЙНЕРАТОРА	Внутронни
Nomer- /Водад	105
ТИП ПАМАТИ	Плю
UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS	MykroproцeSsOr, Risc
О.	ARM926EJ-S
Пефер -вусрост	DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Р.А. МЕР ИБИТА	32
О. А.А.	Рука
Napraheneee - I/O.	1,8 В 3,3 В.
Колиш	1 ЯДРО 32-БИТ
Графика	Не
КОНКОНТРОЛЕР	LPDDR, LPDDR2, DDR2, SDR, SRAM
USB	USB 2.0 (2)
DOPOLNITELNHENEGERFEйSы.	EBI/EMI, I2C, MMC/SD/SDIO, SPI, SSC, UART/USART
DiSpleй иконтролр	Жk -diSpleй, сэнсорнкран
Статус Ройс	Rohs3

AT91SAM9N12-CUR OBзOR

ДОПОЛНИТЕЛЬНО ВСЕГА Управляя, ведущая, а, лежат (ct) yaspolahootseptse -obe -obe -obe -obe -obeSpeh -obeSpeh -obeSpeh -obeSpeh -obeSpeh -obeSpeh -obeSpeh -obeSpeh -obeSpE 1 ядр 32-р. Rasшirennannaver raboч -ytemperaturana okolo-40 ° C ~ 85 ° C TA. Эlement Сейрии Сам9н. ПРЕДУХОЙ АРМА926EJ-SPODDERSHOTOTTOTTOT-PROцESSOR. OnceTET LPDDR, LPDDR2, DDR2, SDR, SRAM RAM -KOONTROLERы. ЭOTOT -obsloцeSsor -obslooshywath ОБЛУСИВАНАВ. Чto -gaoTsemy -vvoDa/vыvoda, эottoT -oproseSsorrror -nna 1,8 -3,3 В. Типмикропрохер, рискринадлегит MykroproцeSsOrmoжno yaskaTath spOmOщHщ at91SAM9n12, eSli -wщte -variantы. Vogo -obregystrirovano 217 okongannaina. Arshitekturamykroproцessora 32-biotnavan. ASTOTA 400 MMGц ISPOLHHYOTSARYPROHESCOROM. ДОВЕРНЫЙ ФУНКИГИЯ 217 КОНТАКТОВ, ПОАЛУСА, ОБРАЙТЕСА Типин -микропрохерссор Какана -Ано -Аннанн, Вестернн Мипропро -вейс. Обычно рекомендуется, чтобы пользователи не предоставляли свои встроенные микропроцессоры напряжением выше 1,1 В. На микропраеэзоорациях. Programmы proцessora -peredaюtdanne чereз 105 i/os. 128 kb bahtы papamayti -vыdelyюytsep. В.Е.