72615L35PF8

Обзор 72615L35PF8

Микросхему памяти FIFO можно найти в упаковке TQFP. Она содержится в упаковке Tape & Reel. Память микросхемы рекомендуется хранить в направлении поверхностного монтажа. Если напряжение питания установлено на 5 В, можно достичь высокой эффективности. ФИФО состоит из 64 выводов, что означает, что ФИФО пуст. Для работы использовалось 64 контакта. Для работы конструкции FIFO требуется ток 230 мА. Напряжение питания должно быть установлено на 5 В. Он предназначен для работы при минимальной температуре 0 ° C Цельсия для обеспечения надежности. Температура его рабочего места 85°C°C обеспечивает стабильную работу. FIFO содержит это устройство полностью. В микросхемах памяти FIFO используются микросхемы типа BI-DIRECTIONAL FIFO. Для работы может потребоваться, например, низкое напряжение питания, 4,5 В. Входное напряжение 5,5 В — это максимальное напряжение, которое может обрабатывать память FIFO. Всего в памяти микросхемы FIFO имеется 64 контакта. Частота 28 эффектов обеспечивает высокую точность. Во время обычной работы 28 МГц — это максимальное значение FIFO памяти. Обычно к компоненту подключены источники питания 5 В. С помощью этой памяти FIFO также можно создать РЕГИСТР ОБХОДА.

72615L35PF8 Особенности

Категория ФИФО
Частота не более

72615L35PF8 Применение

Существует множество приложений памяти FIFO Integrated Device Technology (IDT) 72615L35PF8.

• Магнитные воспоминания
• Переключатели
• Системы связи
• Применение, требующее перезаписываемой энергонезависимой памяти параметров.
• Устройство сердечного Диптиха
• Блокнот
• Элементы временного хранения
• Буферы индивидуально-цифрового результата
• Очереди в коммунальной связи
• Эмуляторы