Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

2368-ММБТ5551-НД

Производитель: НТЭ Электроникс, Инк.
Номер оригинального чипа: ММБТ5551
Упаковка: Сумка
Техническая спецификация: -
Запас: 4932
Описание: (Кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в СИНЬЦЗИАДА.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
РоХС	РоХС
Статус детали	Активный
Мощность - Макс.	350 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Тип транзистора	НПН
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Частота – переход	100 МГц
Поставщик пакета оборудования	СОТ-23-3
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	200 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	600 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.)	50нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	80 при 10 мА, 5 В
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	160 В