ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

Отдел полупроводниковых диодов Вишай

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
VS -11DQ03 PDF и диоды - выпрямители - Отдельные данные - сведения о отдельных продуктах от запаса диодов Vishay Semiconductor, доступные на Feilidi
236
DO-204AL, DO-41, осевой
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
VS -31DQ04 PDF и диоды - выпрямители - выпрямители - сведения о отдельных продуктах от запаса диодов Вишай.
311
C-16, осевой
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
VS -11DQ06 PDF и диоды - выпрямители - выпрямители - сведения об отделении продукта от запаса подразделения по полупроводниковым диодам Vishay, доступные на Feilidi
398
DO-204AL, DO-41, осевой
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
VS -11DQ04 PDF и диоды - выпрямители - Отдельные данные - сведения о отдельных продуктах от запаса диодов Vishay Semiconductor, доступные на Feilidi
200
DO-204AL, DO-41, осевой
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
1N6392 PDF и диоды - выпрямители - выпрямители - сведения об отделении продукта из отделения диодов Vishay.
820
Do-203ab, do-5, Stud
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
UHF8JT -E3/45 PDF и диоды - выпрямители - сведения о отдельных продуктах от запаса диодов Вишай.
899
TO-220-2 Full Pack, изолированная вкладка
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
UH10FT -E3/4W DataShief PDF и диоды - выпрямители - сведения о отдельных продуктах от запаса диодов Vishay.
929
До-220-2
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-контактный IMS-2
173
19-SIP (13 лидов), IMS-2
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Module N-CH 600V 480A 7-контактный INT-A-PAK
283
Int-A-Pak
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Vishay VS-GB100DA60UP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 125 A, 2,4 В, 447 Вт, 600 В, SOT-227
970
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 200A 658W Int-A-Pak
298
Int-A-Pak
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 550A 2841W Int-A-Pak
369
Double Int-A-Pak (5)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 370A 1562W Int-A-Pak
625
Double Int-A-Pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 620A 2500W Int-A-Pak
387
Double Int-A-Pak (5)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Vishay VS-GB75SA120UP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 131 A, 3,3 В, 658 Вт, 1,2 кВ, SOT-227
102
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
VS-GB70NA60UF, модуль IGBT, N-канал, двойной излучение, одиночный, 111A MAX, 600V, 4-контактный SOT-227
147
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 105A 500W Int-A-Pak
330
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 131A 4-контактный SOT-227
212
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 600V 85A 208W Int-A-Pak
867
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 500A 1645W Int-A-Pak
389
Double Int-A-Pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 100A 446W Int-A-Pak
915
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Модуль мощности 17-контактный корпус Emipak-2
178
Эмипак2
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 600V 100A 12-контактный MTP
779
12-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 170A 658W Int-A-Pak
368
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 600V 121A 14-контактный MTP
170
16-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 660A 2660W Int-A-Pak
177
Double Int-A-Pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 134A 4-контактный SOT-227
815
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Module N-CH 600V 758A 7-контактный INT-A-PAK
463
Двойной int-a-pak (3 + 8)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 600V 337A 7-контактный INT-A-PAK
530
Int-A-Pak
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Module N-CH 600V 580A 7-контактный INT-A-PAK
800
Двойной int-a-pak (3 + 8)
Как мы можем вам помочь?