ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

Отдел полупроводниковых диодов Вишай

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 300A 1389W Int-A-Pak
906
Double Int-A-Pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 800A 2604W Int-A-Pak
826
Double Int-A-Pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Vishay VS-GB50LA120UX IGBT Single Transistor, 84 A, 3,22 В, 431 Вт, 1,2 кВ, SOT-227, 4 PIN
624
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 1,2KV 600A
990
Double Int-A-Pak (3 + 8)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
605
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 600V 96A 16-контактный MTP
625
12-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
383
Эмипак-2b
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 600V 220A Int-A-Pak
187
Int-A-Pak
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 600V 380A 4-контактный SOT-227
494
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 1200V 150A int-a-pak
171
Int-A-Pak
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 1200V 182A ECONO3 4PACK
900
Модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 150A 543W Int-A-Pak
196
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MODULE 90A POS HALL MTK
245
-
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MODULE Int-A-Pak
379
Int-A-Pak
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 1,2KV 288A
884
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 100A 405W Int-A-Pak
861
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Module N-CH 1,2KV 66A 35-PIN ECONO2 4PAK
496
Модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT Transistors 600 VOLT 400 AMP
281
Двойной int-a-pak (3 + 8)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 600V 530A int-a-pak
102
Double Int-A-Pak (3 + 8)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 30A 13-контактный MTP
161
12-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 600V 107A 16-контактный MTP
239
12-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 4-контактный SOT-227
261
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
514
SOT-227-4
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Module N-CH 650V 221A 7-контактный INT-A-PAK
718
Int-A-Pak
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
707
Эмипак-2b
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Модуль IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
436
Econo2
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT Module 600V 114A 658W 12MTP
185
12-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 600V 200A 630W SOT227B
598
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Модули вывода и SW - SOT -227 IG
445
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Vishay vs-ga200sa60up. IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1,6 В, 500 Вт, 600 В, Изотоп
426
SOT-227-4, Minibloc
Как мы можем вам помочь?