ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

Отдел полупроводниковых диодов Вишай

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Модули IGBT Output & SW модули - SOT -227 IGBT
458
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 910A 3125W Int-A-Pak
540
Double Int-A-Pak (5)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 180A 652W Int-A-Pak
971
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 150A 446W Int-A-Pak
101
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 1,2KV 500A
878
Double Int-A-Pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 258A 4-контактный SOT-227
901
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 1200V 750A int-a-pak
412
Double Int-A-Pak (3 + 8)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Мостовые выпрямители 600 вольт 50 ампер полного моста
957
16-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Выпрямители 1200 вольт 40 акций полный мост
930
16-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
VS-GT100LA120UX, модуль IGBT, N-канал, двойной коллектор, одинокий, 134 A MAX, 1200 В, 4-контактный SOT-227
661
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MODULE 1200V 80A 463W MTP
658
12-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Chip N-CH 600V 184A 4-контактный SOT-227
246
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT модуль N-CH 1200V 134A 4-контактный SOT-227
870
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Модули вывода и SW - Emipak 2B
414
-
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 600V 160A 417W Int-A-Pak
457
Int-a-pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Vishay VS-GB75YF120N IGBT Array & Module Transistor, NPN, 100 A, 3,8 В, 480 Вт, 1,2 кВ, EconoPack
806
Модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Vishay VS-GB75YF120UT IGBT Array & Module Transistor, NPN, 100 A, 3,8 В, 480 Вт, 1,2 кВ, модуль
978
Модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 330A 1316W Int-A-Pak
511
Double Int-A-Pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Module N-CH 600V 530A 7-контактный двойной int-pak
347
Двойной int-a-pak (3 + 8)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Vishay VS-50MT060WHTAPBF IGBT Single Transistor, 114 A, 2,3 В, 658 Вт, 600 В, MTP, 12 выводов
495
12-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT MODULE N-CH 1,2KV 40A 16-контактный MTP
158
16-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
677
Эмипак-2b
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT MODULE N-CH 1,2KV 80A 12-контактный MTP
654
12-метровый модуль
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT 1200V 280A 1147W Int-A-Pak
783
Double Int-A-Pak (3 + 4)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT Fast 250V 400A Int-A-Pak
319
Двойной int-a-pak (3 + 8)
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT Module 600V 27A 63W IMS-2
272
19-SIP (13 лидов), IMS-2
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Модули вывода и SW - SOT -227 IG
348
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
Trans IGBT Module N-CH 1200V 281A ± 20 В крепление винта
424
SOT-227-4, Minibloc
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT Module 600V 5,7A 23W IMS-2
885
19-SIP (13 лидов), IMS-2
Отдел полупроводниковых диодов Вишай
IGBT Module 600V 7,2A 23W IMS-2
376
19-SIP (13 лидов), IMS-2
Как мы можем вам помочь?