ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
12 нс NS 105 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 1,5 мм мм
143
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 10 NS NS 9,5 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,5 мм мм
705
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 9 NS NS 9 NS NS 8,7376 мм мм Гейтс и инверторы 24MA MA 1,4986 мм мм
166
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 300 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 1,5 мм мм
670
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 6,5 нс нс 7,5 нс нс 8,65 мм мм и инверторы 24 мА МА
554
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
12,2 нс NS 100 нс NS Gates & Inverters 2,6 мА МА
593
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
3,3VV 2,4 нс нс 12 нс нс 2,9 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 1,1 мм мм 30 мг мг
246
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
3,3VV 4,5 нс NS 11 нс NS Gates & Inverters 32ma MA 1,45 мм мм 30 мг мг
438
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
3,3VV 23 нс нс 23 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 4ma MA 55,3 мг мг
510
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3,3 ВВ 12 нс нс 5,2 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 1 мм мм 23 г мг
586
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
3,3VV 4,9 нс нс 14,5 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 1 мм мм 28 мг мг
570
6-tssop, SC-88, SOT-363
На полупроводнике
3,3VV 3,7 нс NS 15,6 нс NS 2,9 мм мм Гейтс и инверторы 32MA MA 1,45 мм мм 29,993795 мг МГ
739
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
3,3 ВВ 12 нс нс 12 нс нс 2,2 мм мм Гейтс и инверторы 1 мм мм
902
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
2/6 В.
330
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
7,9 нс NS 12,3 нс NS Gates & Inverters 8ma ma
878
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
3,3VV 6,2 нс нс 6 нс нс NS 5,1 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,05 мм мм
791
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3,3VV 6,2 нс NS 6 NS NS 8,7376 мм мм Гейтс и инверторы 24MA MA 1,4986 мм мм
526
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
110 нс NS 110 нс NS 8,7376 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 1,4986 мм мм
998
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
110 нс нс 13 нс нс NS 5,1 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 1,05 мм мм
773
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
80 нс нс 180 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 1,5 мм мм
479
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3VV 14,1 нс NS 23 NS NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 4ma MA 1,5 мм мм 150 мг мг
289
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3 ВВ 5,5 нс нс 6,2 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА 1,5 мм мм 150 мг мг
808
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
4,9 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление
779
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
100 нс нс 300 нс нс 5,08 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 1,1938 мм мм
506
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
17 нс нс 100 нс нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА МА
829
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
190 NS NS 125 NS NS 8,7376 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 1,4986 мм мм
272
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
20 нс нс 125 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 1,5 мм мм
563
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В v 28 нс нс 28 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 1,5 мм мм 150 мг мг
114
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
20 нс нс 120 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 1,5 мм мм 150 мг мг
424
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3VV 6,5 нс нс 7,8 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА 1,75 мм мм 150 мг мг
252
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
Как мы можем вам помочь?