ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

NXP USA Inc.

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
NXP USA Inc.
MMRF5014HR5 PDF и транзисторы - FETS, MOSFETS - РЧ.
844
Ni-360H-2SB
NXP USA Inc.
PDF и транзисторы MW6S004NT1 PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -детали продукта от NXP USA Inc. Акции доступны в Feilidi
658
PLD-1.5
NXP USA Inc.
MRF1517NT1 PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -данные о продукте от NXP USA Inc. Акции доступны в Feilidi
593
PLD-1.5
NXP USA Inc.
AFT05MS006NT1 PDF -адрес и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -подробности продукта от акций NXP USA Inc. Доступны на Feilidi
788
PLD-1.5W
NXP USA Inc.
AFT09MS031GNR1 DASHASHIT PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -сведения о продукте от NXP USA Inc. Доступны на Feilidi
955
До-270BA
NXP USA Inc.
JFET N-Chan 20V SOT-23
603
До 236-3, SC-59, SOT-23-3
NXP USA Inc.
AFT05MS003NT1 PDF -адрес и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -подробности продукта от акций NXP USA Inc. Доступны на Feilidi
933
До 243аа
NXP USA Inc.
PDF и транзисторы MHT1008NT1 PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -подробности продукта от NXP USA Inc. Акции доступны в Feilidi
634
PLD-1.5W
NXP USA Inc.
Trans RF NPN 2,8V 70MA SOT343F
435
SOT-343F
NXP USA Inc.
Trans GP BJT NPN 12V 0,06A 4-контактный SOT223 T/R
674
До 261-4, до 261AA
NXP USA Inc.
56 Терминации2.8V ~ 4,5 В.
705
56-VFQFN PAD
NXP USA Inc.
130 Терминации3V ~ 4,5 В MC34709 Специализированное управление энергетикой ICS370 мкА 1
103
130-LFBGA
NXP USA Inc.
48 Терминации2.8V ~ 5,5 В.
575
48-VFQFN открытая площадка
NXP USA Inc.
48 Терминации2.8V ~ 5,5 В.
137
48-VFQFN открытая площадка
NXP USA Inc.
1 В ~ 5 В специализированные управление энергопотреблением ICS
456
48-LQFP, открытая площадка
NXP USA Inc.
56 Терминации2,8 В ~ 4,5 В.
697
56-VFQFN PAD
NXP USA Inc.
206 Терминации1,8 В ~ 4,5 В MC34708 Специализированное управление энергопотреблением ICS1 Функции
286
206-LFBGA
NXP USA Inc.
56 Терминации2,8 В ~ 4,5 В.
897
56-VFQFN PAD
NXP USA Inc.
1 В ~ 5 В специализированные управление энергопотреблением ICS
194
48-LQFP, открытая площадка
NXP USA Inc.
56 Терминации2.8V ~ 4,5 В.
883
56-VFQFN PAD
NXP USA Inc.
2,8 В ~ 4,5 В.
508
56-VFQFN PAD
NXP USA Inc.
32 Терминации2.7V ~ 3,6 В.
947
32-VFQFN открытая площадка
NXP USA Inc.
1 В ~ 5 В специализированные управление энергопотреблением ICS
104
48-LQFP, открытая площадка
NXP USA Inc.
1 В ~ 5 В специализированные управление энергопотреблением ICS
154
48-LQFP, открытая площадка
NXP USA Inc.
48 Терминации2.8V ~ 5,5 В.
996
48-VFQFN открытая площадка
NXP USA Inc.
48 Терминации2.8V ~ 5,5 В.
566
48-VFQFN открытая площадка
NXP USA Inc.
48 Терминации2.8V ~ 5,5 В.
151
48-VFQFN открытая площадка
NXP USA Inc.
3 В ~ 3,6 В.
355
48-LQFP
NXP USA Inc.
Специализированное управление энергетикой ICS
272
-
NXP USA Inc.
3,8 В ~ 7 В.
624
40-VFQFN открытая площадка
Как мы можем вам помочь?