IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP USA Inc. | MMRF5014HR5 PDF и транзисторы - FETS, MOSFETS - РЧ. | 844 | Ni-360H-2SB | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | PDF и транзисторы MW6S004NT1 PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -детали продукта от NXP USA Inc. Акции доступны в Feilidi | 658 | PLD-1.5 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | MRF1517NT1 PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -данные о продукте от NXP USA Inc. Акции доступны в Feilidi | 593 | PLD-1.5 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | AFT05MS006NT1 PDF -адрес и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -подробности продукта от акций NXP USA Inc. Доступны на Feilidi | 788 | PLD-1.5W | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | AFT09MS031GNR1 DASHASHIT PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -сведения о продукте от NXP USA Inc. Доступны на Feilidi | 955 | До-270BA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | JFET N-Chan 20V SOT-23 | 603 | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | AFT05MS003NT1 PDF -адрес и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -подробности продукта от акций NXP USA Inc. Доступны на Feilidi | 933 | До 243аа | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | PDF и транзисторы MHT1008NT1 PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -подробности продукта от NXP USA Inc. Акции доступны в Feilidi | 634 | PLD-1.5W | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans RF NPN 2,8V 70MA SOT343F | 435 | SOT-343F | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans GP BJT NPN 12V 0,06A 4-контактный SOT223 T/R | 674 | До 261-4, до 261AA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 56 Терминации2.8V ~ 4,5 В. | 705 | 56-VFQFN PAD | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 130 Терминации3V ~ 4,5 В MC34709 Специализированное управление энергетикой ICS370 мкА 1 | 103 | 130-LFBGA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 48 Терминации2.8V ~ 5,5 В. | 575 | 48-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 48 Терминации2.8V ~ 5,5 В. | 137 | 48-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 1 В ~ 5 В специализированные управление энергопотреблением ICS | 456 | 48-LQFP, открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 56 Терминации2,8 В ~ 4,5 В. | 697 | 56-VFQFN PAD | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 206 Терминации1,8 В ~ 4,5 В MC34708 Специализированное управление энергопотреблением ICS1 Функции | 286 | 206-LFBGA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 56 Терминации2,8 В ~ 4,5 В. | 897 | 56-VFQFN PAD | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 1 В ~ 5 В специализированные управление энергопотреблением ICS | 194 | 48-LQFP, открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 56 Терминации2.8V ~ 4,5 В. | 883 | 56-VFQFN PAD | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 2,8 В ~ 4,5 В. | 508 | 56-VFQFN PAD | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 32 Терминации2.7V ~ 3,6 В. | 947 | 32-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 1 В ~ 5 В специализированные управление энергопотреблением ICS | 104 | 48-LQFP, открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 1 В ~ 5 В специализированные управление энергопотреблением ICS | 154 | 48-LQFP, открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 48 Терминации2.8V ~ 5,5 В. | 996 | 48-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 48 Терминации2.8V ~ 5,5 В. | 566 | 48-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 48 Терминации2.8V ~ 5,5 В. | 151 | 48-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 3 В ~ 3,6 В. | 355 | 48-LQFP | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Специализированное управление энергетикой ICS | 272 | - | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 3,8 В ~ 7 В. | 624 | 40-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||