IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation | Биполярный транзисто с изолированным затвором | 225 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Биполярный транзисто с изолированным затвором | 974 | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Биполярный транзисто с изолированным затвором | 464 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 42A 184W до 247 | 832 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 666 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 900V 43A 250 Вт до 247 | 521 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 155A 536W до 247 | 402 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 36A 250 Вт до 247 | 136 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 41A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 323 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 106 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | 311 | До 247-3 вариант | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-контактный (3+вкладка) до 264 | 153 | До 264-3, до 264AA | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 3-контактный (3+вкладка) до 264 | 514 | До 264-3, до 264AA | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W до 247 | 447 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 69A 417W до 247 | 152 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 245A 3-контактный (3+вкладка) T-Max | 198 | До 247-3 вариант | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 900V 145A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 265 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 170A 3-контактный (3+вкладка) T-Max | 276 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 65A 290W до 247 | 396 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 900V 78A 337W до-247 | 213 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 54A 250 Вт SOT227 | 678 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 43A 174W до 247 | 757 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W до-247 | 591 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 88A 3-контактный (3+вкладка) T-Max | 762 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 943 | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W до 264 | 490 | До 264-3, до 264AA | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 121A 520W до 247 | 303 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | 1N5618US Dataheep PDF и диоды - выпрямители - сведения об одном продукте от акций Microsemi Corporation, доступные на Feilidi | 429 | SQ-Melf, а | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | 1N5420 PDF и диоды - выпрямители - сведения о единичном продукте от акций Microsemi Corporation доступны на Feilidi | 234 | Б, осевой | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | 1N5550 PDF и диоды - выпрямители - рецидивы - отдельные детали продукта от акций Microsemi Corporation доступны на Feilidi | 692 | Б, осевой | | |||||||||||||||||||||||||