IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation | Trans IGBT модуль N-CH 1,2KV 110A 10-контактный случай SP-1 | 192 | SP1 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT модуль N-CH 600V 32A 12-контактный корпус SP-1 | 127 | SP1 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-контактный (3+вкладка) до 264 | 355 | До 264-3, до 264AA | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 349 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 52A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 207 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 214 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 164 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 94A 3-контактный (3+вкладка) T-Max | 732 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 900V 48A 223W до 247 | 732 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Биполярный транзисто с изолированным затвором | 561 | SOT-227-4, Minibloc | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 63A 203W до 247 | 596 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 817 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 729 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 45A 195W до 247 | 547 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 224 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 78A 337W до-247 | 178 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 93A 415W до 247 | 472 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 900V 117A 500W до 247 | 147 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 96A 416W до-247 | 274 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 69A 417W до 247 | 212 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 106A 694W до 264 | 528 | До 264-3, до 264AA | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 781 | До 247-3 вариант | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 106A 694W до-247 | 816 | До 247-3 вариант | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 625W до 247 | 399 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | 283 | До 247-3 вариант | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 135A 781W TMAX | 753 | До 247-3 вариант | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 88A 3-контактный (3+вкладка) до 247 | 548 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 67A 3-контактный (2+вкладка) D3PAK | 486 | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W до 247 | 927 | До 247-3 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 229A 625W до 264 | 908 | До 264-3, до 264AA | | |||||||||||||||||||||||||