Все продукты

Microsemi Corporation

IMG	Номер части	Производители	Посягательство	В наличии	Упаковка
	APTGF300U120DG	Microsemi Corporation	IGBT Module 1200V 400A 1780W SP6	925	SP6
	APTGT300SK170D3G	Microsemi Corporation	Модуль IGBT 1700V 530A 1470W D3	332	D-3 модуль
	APTGT30DSK60T3G	Microsemi Corporation	Trans IGBT модуль N-CH 600V 50A 32-контактный случай SP-3	679	SP3
	APTGT600A60G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6	253	SP6
	APT46GA90JD40	Microsemi Corporation	IGBT MODULE 900V 87A 284W Изотоп	250	SOT-227-4, Minibloc
	APT70GR120JD60	Microsemi Corporation	IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227	819	SOT-227-4
	APTGT100H60T3G	Microsemi Corporation	IGBT Module 600V 150A 340W SP3	951	SP3
	APTGT200DU120G	Microsemi Corporation	Мод мод IGBT Trench DL SRC SP6	485	SP6
	APT200GN60J	Microsemi Corporation	IGBT MOD 600V 283A 682W Изотоп	554	Изотоп
	APT50GF60JU2	Microsemi Corporation	Модуль IGBT 600V 75A 277W SOT227	784	Изотоп
	APTGT50SK170T1G	Microsemi Corporation	Trans IGBT модуль N-CH 1,7 кВ 75A 12-контактный случай SP-1	617	SP1
	APTGT400A60D3G	Microsemi Corporation	Power Mod IGBT Trench PH Leg D3	768	D-3 модуль
	APT35GT120JU3	Microsemi Corporation	IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227	459	Изотоп
	APT100GT60JR	Microsemi Corporation	IGBT MOD 600V 148A 500W Изотоп	287	Изотоп
	APT75GP120JDQ3	Microsemi Corporation	IGBT MOD 1200V 128A 543W Изотоп	461	Изотоп
	APT100GT60JRDQ4	Microsemi Corporation	IGBT MOD 600V 148A 500W Изотоп	595	Изотоп
	APTGT50DDA60T3G	Microsemi Corporation	Trans IGBT модуль N-CH 600V 80A 32-контактный случай SP-3	469	SP3
	APT200GT60JR	Microsemi Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 600V 195A 4-контактный SOT-227	526	SOT-227-4, Minibloc
	APTGT75A60T1G	Microsemi Corporation	IGBT Module 600V 100A 250W SP1	888	SP1
	APT40GP90JDQ2	Microsemi Corporation	IGBT MODULE 900V 64A 284W Изотоп	291	Изотоп
	APTGT100DA60T1G	Microsemi Corporation	IGBT Module 600V 150A 340W SP1	223	SP1
	Apt20gn60bdq1g	Microsemi Corporation	IGBT 600V 40A 136W до 247	285	До 247-3
	APT80GP60B2G	Microsemi Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-контактный (3+вкладка) t-max	201	До 247-3 вариант
	APT25GT120BRG	Microsemi Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 54A 3-контактный (3+вкладка) до 247	864	До 247-3
	APT50GT60BRDQ2G	Microsemi Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 3-контактный (3+вкладка) до 247	939	До 247-3
	APT25GR120BD15	Microsemi Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 75A 3-контактный (3+вкладка) до 247	668	До 247-3
	APT75GP120B2G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 100A 1042W TMAX	192	До 247-3 вариант
	APT25GR120B	Microsemi Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 75A 3-контактный (3+вкладка) до 247	818	До 247-3
	APT75GN120LG	Microsemi Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 1,2KV 200A 3-контактный (3+вкладка) до 264	720	До 264-3, до 264AA
	APT45GR65BSCD10	Microsemi Corporation	Биполярный транзисто с изолированным затвором	226	До 247-3
\| < < 177 178 179 180 181 182 183 184 185 > > \|

Все продукты

Microsemi Corporation

Скайп

скайп

RFQ