IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation | Trans GP BJT 20V 0,3A 4-контактный стиль M220 | 327 | M220 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 20V 0,3A 4-контактный случай M115 | 282 | M115 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 35V 1A 4-контактный стиль M135 | 436 | M135 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | RF Trans NPN 65V 1,15 ГГц 55FW-1 | 138 | 55FW-1 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans RF MOSFET N-CH 1200V 25A | 822 | Умирать | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans RF MOSFET N-CH 170V 16A 4-контактный стиль M-174 | 864 | M174 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Датчик Opt 520nm Ambient 8msop | 288 | 8-tssop, 8-мс (0,118, ширина 3,00 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Датчик Opt 580nm Ambient 8msop | 113 | 8-tssop, 8-мс (0,118, ширина 3,00 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Датчик Opt 520nm Ambient 8msop | 346 | 8-tssop, 8-мс (0,118, ширина 3,00 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Детектор Ambient света IC 1206 | 879 | 1206 (3216 метрика) | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | RF Trans NPN 16V 512 МГц до 39 | 108 | До 205 года, до 39-3 металла банка | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans RF BJT NPN 60V 30A 3-контактный случай 55AW-1 | 291 | 55Aw | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT 18V 0,4A 8-контактный SOIC T/R | 748 | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | RF Trans NPN 50 В 1,4 ГГц 55KT | 965 | 55 кт | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 18V 4,5A 4-контактный стиль M113 | 815 | M113 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | RF Trans NPN 65V 1,65 ГГц 55LV-1 | 367 | 55LV-1 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans gp bjt npn 10v 0,02a 4-контакт до-72 | 380 | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | RF Trans NPN 18V 175 МГц M135 | 436 | M135 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 30V 0,4A 3-контактный | 445 | До 205 года, до 39-3 металла банка | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans RF BJT 30V 80A 3-контактный случай 55SW-1 | 498 | 55SW | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 0,25A 4-контактный случай M115 | 166 | M115 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 55V 40a 35-контактный случай 55KT-1 | 136 | 55 кт | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 65V 100A 3-контактный случай 55TU-1 | 802 | 55TU-1 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans gp bjt npn 20v 0,4a 3-контактный | 521 | До 205 года, до 39-3 металла банка | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans RF Bipo 140W 500 МГц 55JT2 | 396 | 55JT | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 12V 0,05A 4-контактный | 203 | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | RF Trans NPN 55V 1,215 ГГц 55AW | 559 | 55Aw | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | RF Trans NPN 65V 1,15 ГГц M115 | 361 | M115 | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | RF Trans NPN 42V 2,3 ГГц 55BT | 762 | 55bt | | |||||||||||||||||||||||||
Microsemi Corporation | Trans GP BJT NPN 65V 22A 3-контактный случай M-103 | 186 | M103 | | |||||||||||||||||||||||||