IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Технология микрочипа | MEMS OSC XO 50.000000 МГц CMOS SMD | 394 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Timeflash Mems осциллятор Ultra Low Power LVCMOS -40C -85C 25PPM 3,2x2,5 мм | 178 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | MEMS OSC XO 8,0000 МГц CMOS SMD | 583 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | 4 VLGA 2,5x2,0x0,89 мм трубка, ультра -низкая мощность, осциллятор MEMS, 2520, от -40 до 85, 25PPM | 144 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Ультра-низкая мощность MEMS Осциллятор Нижний джиттер-пик1 = стандартный привод OE | 684 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Ultra-Mall Ultra-Low Power MEMS Осциллятор 12 МГц ± 25 частей на 1,71 В до 3,63 В 4-контактные пробирки VFLGA | 997 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | MEMS OSC XO 25,0000 МГц CMOS SMD | 792 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | MEMS OSC XO 16.0000MHZ CMOS SMD | 809 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | MEMS Осциллятор Ультра низкая мощность LVCMOS -40C -85C 25PPM 3,2x2,5 мм | 255 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | MEMS OSC XO 50.000000 МГц CMOS SMD | 473 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Ультра-низкая мощность, мемс генератор, | 602 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | MEMS OSC XO 25,0000 МГц CMOS SMD | 623 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | VLGA MEMS Осциллятор, Ultra Low Power, LVCMOS, -40C -85C, 25PLM, 2,5x2,0 мм | 311 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | MEMS OSC XO 33.3300 МГц CMOS SMD | 238 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Ультра-низкая мощность, мемс генератор, | 413 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | MEMS Осциллятор, Ультра низкая мощность | 901 | 4-SMD, нет лидерства | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Диодный выключатель 50 В 2-контактный | 507 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | RF-приемник Ask 5V 20-контактная пробирка | 962 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Diode Pin Pintuator/Switch 500 В 2-контактный корпус M1 T/R | 584 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Линейный контроллер зарядного устройства Li-Ion/Li-Pol 1000 мА 3,6 В 10-контактный DFN EP Tube | 272 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Scannable Register/Driver Single-Element 3 CH ECL 28-контактный PLCC T/R | 341 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | RF-передатчик ASK/FSK 2,5 В/3,3 В 8-контактный TSSOP T/R | 469 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Linear Battery Charger Li-ION 1200MA 9,6 В 10-контактный DFN EP T/R | 981 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Микропроцессор | 507 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Diode Pin Pintuator/Switch 250 В 2-контактный корпус GM1 T/R | 942 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | Драйвер 1.5A 1-OUT Low Side Inv Automotive 5-PIN SOT-23 T/R | 889 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | RF трансивер FSK 3,3 В 44-контактный LQFP T/R | 357 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | RF-приемник Ask/FSK 5V 20-контактный SSO T/R | 547 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | РЧ-приемопередатчик 2,5 В/3,3 В 48-контактный QFN EP Tray | 794 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технология микрочипа | | 0 | Масса | | |||||||||||||||||||||||||