Все продукты

Авторизоваться Зарегистрировать

Вишай Силиконикс

IMG	Номер части	Производители	Посягательство	В наличии	Упаковка
	SQJA80EP-T1_GE3	Вишай Силиконикс	MOSFET N-CH 80 В 60A PowerPakso-8	788	PowerPak® SO-8
	SI7315DN-T1-GE3	Вишай Силиконикс	MOSFET -150V .315OHM@-10V -8.9A P-CH T-FET	740	PowerPak® 1212-8
	SI7143DP-T1-GE3	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ 30 В 35A МОСФЕТ P-CH	446	PowerPak® SO-8
	SQD19P06-60L_GE3	Вишай Силиконикс	Автомобильный P-канал 60 В (DS) 175 ° C	511	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
	SQJ850EP-T1_GE3	Вишай Силиконикс	MOSFET 60V 24A 45W N-CH Automotive	224	PowerPak® SO-8
	IRFD120PBF	Вишай Силиконикс	MOSFET N-CH 100 В 1,3А 4-DIP	413	4-DIP (0,300, 7,62 мм)
	IRFU120PBF	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ N-CH 100 В 7,7A I-PAK	679	До 251-3 короткие лиды, ipak, до 251AA
	SUD25N15-52-E3	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ N-CH 150 В 25А до 252	564	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
	SUD80460E-GE3	Вишай Силиконикс	Mosfet N-CH 150V 42A до 252AA	571	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
	SIR870DP-T1-GE3	Вишай Силиконикс	Mosfet, n ch, di, 100v, 60a, ppk so8; Полярность транзистора: n канал; Непрерывный	249	PowerPak® SO-8
	Irld120pbf	Вишай Силиконикс	Trans Mosfet N-CH 100V 1,3A 4-контактный HVMDIP	507	4-DIP (0,300, 7,62 мм)
	SI1330EDL-T1-E3	Вишай Силиконикс	MOSFET N-CH 60 В 240 мА SOT323-3	331	SC-70, SOT-323
	SI1427EDH-T1-GE3	Вишай Силиконикс	Vishay SI1427EDH -T1 -GE3 MOSFET TRANSISTOR, P -канал, -2 A, -20 В, 0,05 Ом, -4,5 В, -400 МВ	281	6-tssop, SC-88, SOT-363
	SIRA52DP-T1-GE3	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ N-CH 40 В 60А PPAK SO-8	989	PowerPak® SO-8
	SQ4153EY-T1_GE3	Вишай Силиконикс	Автомобильный P-канал 12 В (DS) 175 ° C	109	8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
	IRFRC20TRRPBF	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ N-CH 600V 2A DPAK	744	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
	SI4425BDY-T1-GE3	Вишай Силиконикс	MOSFET 30V 11.4A 2,5W 12MOM @ 10V	639	8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
	SIHD3N50D-GE3	Вишай Силиконикс	MOSFET 500V 3.2OM@10V 3A N-CH D-SRS	577	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
	SIHFR1N60A-GE3	Вишай Силиконикс	Trans Mosfet N-CH 600V 1.4A 3-контактный (2+вкладка) DPAK	719	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
	SQD50N04-4M5L_GE3	Вишай Силиконикс	Vishay SQD50N04-4M5L-GE3 MOSFET Transistor, N-канал, 50 A, 40 В, 0,003 Ом, 10 В, 1,5 В	211	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
	SIHD5N50D-E3	Вишай Силиконикс	Trans Mosfet N-CH 500V 5,3A 3-контактный (2+вкладка) до 252AA	103	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
	IRFU220PBF	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ N-CH 200V 4.8A I-PAK	164	До 251-3 короткие лиды, ipak, до 251AA
	IRLU024PBF	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ N-CH 60 В 14А I-PAK	738	До 251-3 короткие лиды, ipak, до 251AA
	IRFU430APBF	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ N-CH 500V 5A I-PAK	483	До 251-3 короткие лиды, ipak, до 251AA
	IRFD113PBF	Вишай Силиконикс	Trans Mosfet N-CH 60 В 0,8A 4-контактный HVMDIP	879	4-DIP (0,300, 7,62 мм)
	SIHH11N65EF-T1-GE3	Вишай Силиконикс	Mosfet N-Chan 600V 24a PowerPak	564	8-Powertdfn
	SIHP25N40D-E3	Вишай Силиконикс	Mosfet N-CH 400V 25a до-220AB	868	До 220-3
	SIHP23N60E-GE3	Вишай Силиконикс	MOSFET 600V 158MOHM@10V 23A N-CH E-SRS	976	До 220-3
	SIHB23N60E-GE3	Вишай Силиконикс	MOSFET 600V 158MOHM@10V 23A N-CH E-SRS	878	TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
	SIHG16N50C-E3	Вишай Силиконикс	МОСФЕТ N-CH 500 В 16А до 247AC	405	До 247-3
\| < < 104 105 106 107 108 109 110 111 112 > > \|