IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Технологические решения M/A-COM | Модули AMPS 5 В | 417 | До 243аа | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | 4 -контактные видео модули amps min -20 ° C Max 85 ° C | 503 | До 243аа | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | 20 -контактные видео модули amps min -40 ° C макс 85 ° C | 447 | 20-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | 5 В 8 В видеомагматических модулей мин -40 ° C макс 100 ° C | 312 | 48-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 80V | 101 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 55V 211-11 | 155 | 211-11, стиль 2 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | MOSFET 150W 28 В 100-500 МГц | 693 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Hemt n-ch 48v 50w dc-2,2 ГГц | 980 | До-272bc | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | FET RF 65V 500 МГц 319-07 | 938 | 319-07 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор RF 650W GAN | 822 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор RF 700W GAN | 910 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | FET RF 65 В 1 МГц 14dfn | 753 | 14-VDFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Transistor Gan 10WCW 0,03-3,5 ГГц | 933 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | FET RF 65 В 3,5 ГГц | 727 | Керамика | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Fets rf gan hemt 180w 2,7-3,1 ГГц | 377 | Керамика | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | FET RF 160V 6GHZ 14DFN | 414 | 14-TDFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Transistor Gan 3,5 ГГц 15 Вт | 443 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Hemt n-ch 28 В 65 Вт 3300-3800 МГц | 507 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans 2npn Emittr 30V 744a-01 | 746 | 744A-01 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 65V | 412 | Металл | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 65V 1,215 ГГц | 223 | Керамика | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 63V | 524 | Металл | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 65V | 679 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 60V | 618 | Металл | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 60V | 347 | Керамика | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 33V 316-01 | 395 | 316-01 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Dir Coupler 5 МГц-1,2 ГГц мод | 158 | 6-SMD (5 проводков), крыло чайки | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Среднеквадратичный детектор питания 6-18 ГГц | 636 | 6-wfdfn открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Dir Coupler 5 МГц-1,2 ГГц 6SMD | 284 | 6-SMD модуль | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | 23db соединитель 5 - 1225 МГц | 958 | 6-SMD модуль | | |||||||||||||||||||||||||