IMG | Nomer чaSti | Проиджодели | Поосгартел | Вналишии | Упако | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
8,5 млн. С. 3,3 млн. С. 5 мммммер. | 468 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
6,5 млн. NS 7 NS NS 8,65 мм мм Гехтс и. | 545 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
Гейтс и инверторы | 316 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
8,5 млн. С. 3,3,3 млн. Н. Гейтс и инверторс | 251 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
Gates & Inverters 4,5 ЕСК | 522 | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
2/6. | 521 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | ||||||||||||||||||||||||||
3,3VV 10,1 млн. Н. С. 14,2 млн. Н. МММ ММ ГЕХЕТС | 319 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
7,5 ns ns gates & инверторы | 599 | 14-vfqfn otkrыtai-anploщadka | | ||||||||||||||||||||||||||
130 м. | 850 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
19 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters поверхностное крепверг | 284 | 14-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,3VV 3,3 млн. М. 4,3 млн. С. Геотс и. | 656 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
7,1 нс ns gates & инверторы | 956 | 8-xfdfn | | ||||||||||||||||||||||||||
7,9 млн. Н. 4,8 млн. Н.С. Гейтс и инверторы 25 май | 912 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
Геотс и. | 691 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
Гейтс и инверторы | 623 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,6 мкл. | 841 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 v 5,5 млн. С. 8,65 ммммммер. | 326 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
Gates & Inverters 2V ~ 6V V | 479 | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,3VV 4,3 млн. Н. С. 9,5 млн. Н.С. 2,9 мм мм. | 720 | SOT-23-6 | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 V V 80 млн. Н.С. 8,65 мммммер | 108 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,8 млн. Н. Гейтс и инверторы 50 май | 843 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
80 млс. | 764 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
6,2 млрд. | 506 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 V V 80 млн. Н.С. 8,65 мммммер | 714 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
6,1 млн. Н. 23,4 млн. Н.С. | 411 | 6-xfdfn | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 v 55 ns 5 мм мм, выступая | 132 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
90 млн. Н.С. 120 млн. Н.С. 8,65 ммммммгётс и имен. | 424 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,6 мкл. | 606 | 6-xfdfn | | ||||||||||||||||||||||||||
3,3VV 1,7 млн. Н. Ст. | 592 | 6-xfdfn | | ||||||||||||||||||||||||||
15 м. | 551 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||