Все продукты

Геотс иниртор

IMG	Nomer чaSti	Проиджодели	Поосгартел	Вналишии	Упако
	74V1G00STR	Stmicroelectronics	9,5 млн. Н.С. 9 млн. Н.С.	353	SC-74A, SOT-753
	N74F00N, 602	NXP USA Inc.	5 В против Gates & Inverters 4,5 -5,5	963	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74HC4002N, 652	NXP USA Inc.	Gates & Inverters 2V ~ 6V V	261	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	HEF4072BT, 652	NXP USA Inc.	5/15 V 8,65 мм мм.	789	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	HEF4072BT, 653	NXP USA Inc.	5/15 V 8,65 мм мм.	349	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74abt04n, 112	NXP USA Inc.	5 v 19.025 мм мм в имен	359	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	HEF4049BP, 652	NXP USA Inc.	5/15 - Противигтс ингерторо 3 В ~ 15	986	16-DIP (0,300, 7,62 ММ)
	74abt08n, 112	NXP USA Inc.	5 В против Gates & Inverters 4,5 -5,5	989	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	HEF4001BP, 652	NXP USA Inc.	5/15 - Противигтс ингерторо 3 В ~ 15	990	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74LVT32DB, 118	NXP USA Inc.	3,3 В.	982	14-ssop (0,209, ширина 5,30 мм)
	74LV04N, 112	NXP USA Inc.	3,3VV 19,025 мм мм Гехтс ингертор 1 В ~ 5,5 В	200	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74LS02N	На то, чтобы	18 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 8ma ma -ereз -kreplenieeperхnosti -or	392	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74HC08N	На то, чтобы	20 млн. С. 20 млн. Геотс и.	724	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74HC14N	На то, чтобы	21 NS NS 188 NS NS GATES & Inverters 5,2 MMA MA 1 620005 ГМГЕРА	706	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74HC32N	На то, чтобы	17 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 5,2 мМА 1,62 ГМ -чereзperхnostnoe krepleonee otwrstipeman 2- ~ 6 v 2mka	454	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74AC04PC	На то, чтобы	10 млн. Л.С. 10 млн. Геотс и.	407	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74LVX86M	На то, чтобы	12,8 млн. Н. Ст.	271	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MM74HCT04N	На то, чтобы	20 мсс. 25 млн. Геотс и.	938	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74act02sc	На то, чтобы	Геотс ингерто 4,5 -5,5	942	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74act04pc	На то, чтобы	8,5 млн. Н.С. 9 млн. Н.С. 6,35 ммммммгер 24,35 мма 6,35 ммм 1,62 г мра 4 мка мка	934	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74AS1804N	На то, чтобы	4 NS NS 4 NS NS GATES & Inverters.	121	20-DIP (0,300, 7,62 ММ)
	74act00pc	На то, чтобы	9 мкл 9,5 млн. Н. Гейтс и инверторы 24 мА 1,62 -gmgereз -krepleneenee -noprхnosti -otwerstieman 4,5- ~ 5,5 - 2 мк.	741	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	NL17SZ00XV5T2	На то, чтобы	3,3VV 4,3 млн. Н. Ст.	542	SOT-553
	MC74VHC1G08DTT1	На то, чтобы	7,9 млн. С. 3 ммммгер	269	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
	MC74LCX04DTR2	На то, чтобы	3,3 В 5,2 млн. С. 6,2 млн. С. 5 мм мм.	166	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	BU4001B	ROHM Semiconductor	40 нс нс 90 нс нс Гейтс и инверторы.	822	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	BU4069UB	ROHM Semiconductor	40 млн. С. 40 м.	813	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	NL27WZ06DTT1	На то, чтобы	3,3VV 3 м.	456	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
	BU4030B	ROHM Semiconductor	40 нс нс 90 нс нс Гейтс и инверторы.	381	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	BU4011b	ROHM Semiconductor	5/15 В.	945	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
\| < < 262 263 264 265 266 267 268 269 270 > > \|

Все продукты

Геотс иниртор

Скайп

скайп

RFQ