IMG | Nomer чaSti | Проиджодели | Поосгартел | Вналишии | Упако | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1,25 млн. NS 1,25 мкл. | 686 | 16-CDIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 v 10 нс NS 10 NS NS Gates & Inverters Поверхностные крепления | 825 | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,3 млн. С. м. | 510 | 20-LCC (J-Lead) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,3 млн. С. 1,45 млн. С. 10 0076 МММММ ГЕХЕТ | 600 | 20-LCC (J-Lead) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,75 м. | 388 | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,3 млн. С. 1,3 млн. С.С. Геотс иниртор | 663 | 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,75 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 699 | 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,5 мкл 1,5 млн. Н. | 799 | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,7 м. | 856 | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,25 млн. Н.С. 8,965 мм мм Гегет | 997 | 20-LCC (J-Lead) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,8 млн. Н.С. 1,8 млн. С.С. Геотс и. | 347 | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
2 ns ns 2 ns ns 19,49 мммммер | 328 | 16-CDIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
2 NS NS 6 NS NS GATES & Inverters Поверхностное крепверг | 621 | 14-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,55 млн. С. 155 млн. С.С. Геотс иниртор | 510 | 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
-5,2VV 1,6 млн. С. С.С. 8,965 мммммер | 408 | 20-LCC (J-Lead) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,5 млн. Н.С. 8,965 мм мм, гертс иертор | 179 | 20-LCC (J-Lead) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,55 млн. С. 155 млн. С.С. Геотс иниртор | 808 | 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,5 млн. С. 1,5 млн. С. 10,2 мм мм Гехт | 736 | 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,25 м. В | 255 | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
8 мсс. | 169 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 V 55 NS NS 55 NS NS 10,2 МММ ММ ГЕХЕТС | 255 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 -v 100 нс NS 300 млн. Н.С. | 172 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 -v 80 ns 250 ns ns Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount 3- ~ 18 v 1 мк μa | 317 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,3/5V V 7 NS NS 10 NS NS 10,2 ММММ ММЕТС | 740 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
7 NS NS 10 NS NS 6,35 МММММ ГЕХЕТСАИ И. μa | 267 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
1,5 млн. С. 1,5 млн. С. 10,2 мм мм Гехт | 384 | 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,3/5 В v 9 млн. Н.С. 8,65 мммммер | 668 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
7,5 млн. С. 8,5 млн. С. 5 мммммер | 106 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
6 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters 24ma ma erehreзporхnoStnoe krepleplenee otwerstipan 2- ~ 6 v 4 мк. | 227 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,3/5 В против 7,5 млн. Н.С. 9,5 млн. Н. Ст. | 127 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||