IMG | Nomer чaSti | Проиджодели | Потхгареолб | Вналишии | Епако | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3 мммммер | 132 | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
19 нс нс 29 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы | 423 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
33 нс нс 50 нс ns 5 ммммгер | 794 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
12 мс. | 156 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
20 мсс. | 552 | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
6,5 млн. С. 45 млн. С. 3 ммммме | 562 | 14-vfqfn otkrыtai-anploщadka | | ||||||||||||||||||||||||||
17 млн. С. 100 млн. С. М.,45 ммммме | 857 | 6-ufdfn | | ||||||||||||||||||||||||||
4 м. | 493 | 6-xfdfn | | ||||||||||||||||||||||||||
19 млн. 3 мм мм, | 804 | 14-vfqfn otkrыtai-anploщadka | | ||||||||||||||||||||||||||
9,175 мм мм в имен | 908 | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
8,965 мм мм Гейтс и инверторы -4,94 В ~ -5,46VV | 646 | 20-LCC (J-Lead) | | ||||||||||||||||||||||||||
Gates & Inverters -4.94V ~ -5.46VV | 803 | 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
8,65 мм мм Гехтс ингертор 4,75 ЕГО ~ 5,25 В. | 664 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
14 млн. Н.С. 85 млн. Н.С. 10,3 ммммгер | 870 | 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
Геотс ингерто 4,5 -5,5 | 684 | 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
19.175 мм мм Гехтс и. | 368 | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 В V 280 NS NS 280 NS NS 19,3 МММММММЕГО 5,08 ММММ 927,99329 М.М. μa | 324 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
Геотс ингерто 4,5 -5,5 | 387 | 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
8,965 мм мм Гейтс и инверторы -4,94 В ~ -5,46VV | 770 | 20-LCC (J-Lead) | | ||||||||||||||||||||||||||
2,9 млн. С. 2,9 млн. С. 2,3 мммммммер. | 914 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
90 ns NS 90 NS NS 19,3 мммммгерг. Мка мка | 766 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 В. V 19 NS NS 29 NS NS 19,3 мммммгер. | 533 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 В V 10 NS NS 10 NS NS 19,3 МММММЕГА ГЕХЕТСА | 542 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,2 м. | 108 | 6-xfdfn | | ||||||||||||||||||||||||||
14 NS NS 31 NS NS 19,3 МММММ ГЕХЕТСА и ПИАНЕРТУРА 5,2 МА 5,08 МММ 927,99329 М.М. Мка мка | 780 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
3,2 м. | 797 | 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 v 32 NS NS 48 NS NS 8,65 ММММ ММ ГЕХЕТС ИНВЕРТ | 541 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
100 млн. Н.С. 300 млн. Н.С. 8,75 мммммгер | 834 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 v 8,5 млн. Н.С. 10,8 млн. Н.С. 8,65 мм мм. | 933 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 В v 9,3 млн. Н.С. 8,5 млн. С. 19,3 ммммммгер, 24 мА, 5,08 мм, 927,99329 м. | 182 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||