IMG | Nomer чaSti | Проиджодели | Поосгартел | Вналишии | Упако | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRF6V2300NBR5 PDF и TrAnзySTORы - FETS, MOSFETS - Rч -PODROBNOSTIPRODOKTA OT NXP USA Inc. | 118 | До-272BB | | ||||||||||||||||||||||||||
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | 970 | SOT-502A | | ||||||||||||||||||||||||||
RF FET LDMOS 65 В 18,2DB SOT502B | 114 | SOT-502B | | ||||||||||||||||||||||||||
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | 261 | SOT-502B | | ||||||||||||||||||||||||||
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | 864 | SOT-502B | | ||||||||||||||||||||||||||
Trans JFET N-CH 3-PIN TO-92 T/R | 877 | До-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (SFORMIROWANNE | | ||||||||||||||||||||||||||
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 | 124 | 2-FLATPACK, FIN LEADS | | ||||||||||||||||||||||||||
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 | 274 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | | ||||||||||||||||||||||||||
МОСФЕТ N-CH 8V 25 MMA SOT143-4 | 802 | 253-4, 253а | | ||||||||||||||||||||||||||
RF FET LDMOS 65V 22,5DB SOT502B | 998 | SOT-502B | | ||||||||||||||||||||||||||
IC FET RF LDMOS 150 Вт PG-64248-2 | 271 | 2-Flatpack, FIN Leads, Flanged | | ||||||||||||||||||||||||||
RF JFET Transistors LS Band LO NO AMP | 393 | SC-82A, SOT-343 | | ||||||||||||||||||||||||||
RF Power LDMOS Transistor 2450 | 851 | OM-780-2 | | ||||||||||||||||||||||||||
RF MOSFET Transistors | 729 | - | | ||||||||||||||||||||||||||
Airfast RF Power LDMOS Transisto | 395 | OM-1230-4L2L | | ||||||||||||||||||||||||||
RF Trans 2,1-ggц 360 st OM1230-4L2S | 375 | OM-1230-4L2L | | ||||||||||||||||||||||||||
700 мг, Si Ldmos, 48 a, 790-820 Mmgц, | 422 | HB2SOF-6-1 | | ||||||||||||||||||||||||||
IC AMP RF LDMOS | 885 | - | | ||||||||||||||||||||||||||
Trans RF Mosfet N-CH 70 v 3-контактен OM-780 EP T/R | 593 | OM-780-2 | | ||||||||||||||||||||||||||
Gan Hemt 28V 35W DC-4,0 Гер | 750 | - | | ||||||||||||||||||||||||||
Airfast RF Power LDMOS Transisto | 178 | ACP-1230S-4L2S | | ||||||||||||||||||||||||||
FET RF 65 В 1,96 ГГАГИ NI-880X-2L4S | 339 | Ni-880xS-2L4S | | ||||||||||||||||||||||||||
AFT18S230SR3 50 -Ватт РФ мощность власти ldmos -tranзystorprednanaзnaчen -primenneй -otowoй -nehowoй -nhy -nhy -nhouh от 1805 года 1880 года. | 160 | OM-780-2L2L | | ||||||||||||||||||||||||||
IC RF ИСИЛИТОР | 748 | HB2SOF-6-1 | | ||||||||||||||||||||||||||
IC AMP RF LDMOS | 867 | H-37275G-6/2 | | ||||||||||||||||||||||||||
15W, Gan Hemt, 28V, DC-6.0ghz, P | 639 | 440196 | | ||||||||||||||||||||||||||
Trans Mosfet N-CH 65V 2-Koantaktnый ni-780s t/r | 150 | Ni-780S | | ||||||||||||||||||||||||||
MOSFET 2N-CH 10 В 30 MMA SOT343R | 543 | SC-82A, SOT-343 | | ||||||||||||||||||||||||||
IC AMP RF LDMOS | 809 | - | | ||||||||||||||||||||||||||
FET RF 2CH 65V 2,5Gц NI1230S-4 | 957 | NI-1230-4S | | ||||||||||||||||||||||||||