ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

RF Mosfets Transistors

IMG
Nomer чaSti
Проиджодели
Поосгартел
Вналишии
Упако
RFQ
MRF6V2300NBR5 PDF и TrAnзySTORы - FETS, MOSFETS - Rч -PODROBNOSTIPRODOKTA OT NXP USA Inc.
118
До-272BB
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
970
SOT-502A
RF FET LDMOS 65 В 18,2DB SOT502B
114
SOT-502B
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
261
SOT-502B
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
864
SOT-502B
Trans JFET N-CH 3-PIN TO-92 T/R
877
До-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (SFORMIROWANNE
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
124
2-FLATPACK, FIN LEADS
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
274
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
МОСФЕТ N-CH 8V 25 MMA SOT143-4
802
253-4, 253а
RF FET LDMOS 65V 22,5DB SOT502B
998
SOT-502B
IC FET RF LDMOS 150 Вт PG-64248-2
271
2-Flatpack, FIN Leads, Flanged
RF JFET Transistors LS Band LO NO AMP
393
SC-82A, SOT-343
RF Power LDMOS Transistor 2450
851
OM-780-2
RF MOSFET Transistors
729
-
Airfast RF Power LDMOS Transisto
395
OM-1230-4L2L
RF Trans 2,1-ggц 360 st OM1230-4L2S
375
OM-1230-4L2L
700 мг, Si Ldmos, 48 a, 790-820 Mmgц,
422
HB2SOF-6-1
IC AMP RF LDMOS
885
-
Trans RF Mosfet N-CH 70 v 3-контактен OM-780 EP T/R
593
OM-780-2
Gan Hemt 28V 35W DC-4,0 Гер
750
-
Airfast RF Power LDMOS Transisto
178
ACP-1230S-4L2S
FET RF 65 В 1,96 ГГАГИ NI-880X-2L4S
339
Ni-880xS-2L4S
AFT18S230SR3 50 -Ватт РФ мощность власти ldmos -tranзystorprednanaзnaчen -primenneй -otowoй -nehowoй -nhy -nhy -nhouh от 1805 года 1880 года.
160
OM-780-2L2L
IC RF ИСИЛИТОР
748
HB2SOF-6-1
IC AMP RF LDMOS
867
H-37275G-6/2
15W, Gan Hemt, 28V, DC-6.0ghz, P
639
440196
Trans Mosfet N-CH 65V 2-Koantaktnый ni-780s t/r
150
Ni-780S
MOSFET 2N-CH 10 В 30 MMA SOT343R
543
SC-82A, SOT-343
IC AMP RF LDMOS
809
-
FET RF 2CH 65V 2,5Gц NI1230S-4
957
NI-1230-4S
Как мы можем вам помочь?