изображение | Номер детали | Производители | Описание | В наличии | Упаковка | Запрос запроса | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ТРАНЗИСТОР ГАН 650ВТ 1,2-1,4ГГЦ | 817 | - | | ||||||||||||||||||||||||||
Полевой транзистор РФ 40 В 870 МГц | 703 | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | | ||||||||||||||||||||||||||
Полевой транзистор RF 40 В 500 МГц PWRSO-10 | 737 | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | | ||||||||||||||||||||||||||
ИМС AMP RF Н-Ч 30В 10МА ТО-92 | 295 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | | ||||||||||||||||||||||||||
JFET N-CH 30В 13МА ТО92 | 873 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | | ||||||||||||||||||||||||||
ИМС AMP RF Н-Ч 30В 10МА ТО-92 | 932 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | | ||||||||||||||||||||||||||
ВЧ полевой транзистор LDMOS 65В SOT502B | 826 | СОТ-502Б | | ||||||||||||||||||||||||||
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPF102_D27Z JFET Транзистор, JFET, 25 В, 2 мА, 20 мА, 8 В, TO-92, JFET | 606 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | | ||||||||||||||||||||||||||
ВЧ полевой транзистор LDMOS 65В 21дБ SOT502B | 578 | СОТ-502Б | | ||||||||||||||||||||||||||
RF JFET-транзисторы 3,5 ГГц 10 Вт GAAS PLD1.5N | 321 | НИ-360ХФ | | ||||||||||||||||||||||||||
Trans JFET N-CH 5,5 В 80 мА pHEMT 4-контактный (3+вывод) SOT-343 T/R | 563 | СК-82А, СОТ-343 | | ||||||||||||||||||||||||||
ВЧ полевой транзистор LDMOS 65В 20дБ SOT502A | 888 | СОТ-502А | | ||||||||||||||||||||||||||
Trans RF MOSFET N-CH 65 В 7 А 3-контактный PowerSO-10RF (прямой провод) T/R | 850 | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | | ||||||||||||||||||||||||||
RF FET LDMOS SOT502B | 588 | СОТ-502Б | | ||||||||||||||||||||||||||
Полевой транзистор RF 65 В 1,99 ГГц H-32259-2 | 289 | H32259-2 | | ||||||||||||||||||||||||||
ТРАНС РФ Н-Ч ФТ POWERSO-10RF | 484 | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 прямых провода) | | ||||||||||||||||||||||||||
ФЕТ РЧ 110В 220МГЦ ТО-272-2 | 890 | ТО-272ВС | | ||||||||||||||||||||||||||
IC FET RF LDMOS 150 Вт H-30260-2 | 391 | 2-плоская упаковка, поводки для плавников | | ||||||||||||||||||||||||||
IC FET RF LDMOS 150 Вт PG-63248-2 | 763 | 2-плоская упаковка, поводки для плавников | | ||||||||||||||||||||||||||
ВЧ полевой транзистор LDMOS 65 В 18,7 ДБ SOT502B | 782 | СОТ-502Б | | ||||||||||||||||||||||||||
МОП-транзистор Н-Ч 8В 25МА СОТ-343 | 290 | СК-82А, СОТ-343 | | ||||||||||||||||||||||||||
Trans RF MOSFET N-CH 20 В 0,03 А 3-контактный SOT-23 T/R | 341 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | | ||||||||||||||||||||||||||
IC FET RF LDMOS 150 Вт PG-64248-2 | 241 | 2-Flatpack, выводы плавников, фланцевые | | ||||||||||||||||||||||||||
Техническое описание J310G в формате pdf и Транзисторы — полочные транзисторы, МОП-транзисторы — подробные сведения о RF-продукты со склада ON Semiconductor доступны в Фейлиди. | 716 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | | ||||||||||||||||||||||||||
ВЧ полевой транзистор LDMOS 65В 19дБ SOT975B | 864 | СОТ-975Б | | ||||||||||||||||||||||||||
AVAGO TECHNOLOGIES ATF-531P8-BLK RF FET транзистор, высокая линейность, 7 В, 300 мА, 1 Вт, 50 МГц, 6 ГГц, LPCC | 275 | 8-WFDFN Открытая площадка | | ||||||||||||||||||||||||||
ВЧ полевой транзистор 2 НЗ 65В 13дБ SOT268A | 365 | СОТ-268А | | ||||||||||||||||||||||||||
ВЧ полевой транзистор LDMOS 65В 18,5дБ SOT538A | 829 | СОТ-538А | | ||||||||||||||||||||||||||
ТРАНЗИСТОР PWR LDMOS SOT539A | 127 | СОТ539А | | ||||||||||||||||||||||||||
МОП-транзистор РФ SOT223 SC-73 | 613 | ТО-261-4, ТО-261АА | | ||||||||||||||||||||||||||